闯出半导体照明的中国道路
——记南昌大学党委委员、副校长江风益
在2015年度国家科学技术奖励大会上，“硅衬底LED项目”荣获年度唯一国家技术发明奖一等奖。江风益带领团队进行的这项研究，实现了我国半导体科技的飞跃，可以说荣誉实至名归。
“一穷二白”开启追梦之旅
29年前，国内发光材料因长期依靠进口而经常遭受盘剥和刁难，当时正在读研究生的江风益为此立下了“让材料发光”的理想。1993年，在他的提议下，南昌大学成立了材料科学研究所，从此江风益开始了他的追梦之旅。
在当时，要筹建一个具备国际水准的材料研究实验室，至少需要1000万元。学校咬紧牙关也只能挤出60万元“贷”给他。江风益不等不靠，率领团队自己动手研究、设计和组装，用了不到 400万元就把原本需要1000多万元的设备配齐了。
创业之初，江风益的GaN蓝光LED研究工作进展非常顺利。1996年，该研究得到了江西省政府240万元的支持，并成功申请到了国家“863计划”中的蓝色发光材料与器件项目。但课题组低估了项目难度，经历300多次实验、研究工作却尚未入门，而经费就已花掉了90%。面对困境，许多合作伙伴先后离开了课题组，江风益的团队，当时仅剩下3名研究人员。
继续？还是放弃？这时，欧洲一家著名的研究所和一所大学，向江风益发出了邀请函，提出了优越的研究条件、丰厚的年薪以及攻读博士的许诺。面对诱惑，江风益首先想到是一名共产党员的责任和为国争光的理想，他决定留下来。
功夫不负有心人。2000年，经过1200多次的实验，蓝光LED外延材料和蓝光二极管终于研制成功，填补了国内空白，推动显示显像行业的科技进步，为硅衬底LED自主创新奠定了良好基础。
大胆探索闯出一条新路
经过一年的探索，江风益发现最先选定的材料生产困难，且稳定性不够好，于是果断放弃。随后，他把目光投向了硅衬底LED研究。这是一项几乎被判“死刑”的研究，多年前美国等国科学家对此都渐渐失去了信心，成为LED产业发展中的世界难题。
“发达国家都搞不出来的东西，我们还是不要白费力气了。”面对质
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